近年來,物聯(lián)網(wǎng)呈現(xiàn)突飛猛進(jìn)的發(fā)展態(tài)勢。據(jù)IoT Analytics統(tǒng)計(jì)，2018年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備已經(jīng)達(dá)到70億臺；到2020年，活躍的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計(jì)將增加到100億臺。全球物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)規(guī)模由2008年500億美元增長至2018年近1510億美元。《2018年中國5G產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用發(fā)展白皮書》預(yù)計(jì)，到2025年中國物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)將達(dá)到53.8億，其中5G物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達(dá)到39.3億。
5G技術(shù)的核心優(yōu)勢在于大帶寬、低時(shí)延、海量的連接數(shù)量以及嚴(yán)密的覆蓋。與4G對比，5G峰值速率上是4G的30倍，用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)是10倍，流量密度提高100倍。隨著5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的推進(jìn)，像無人駕駛等工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)項(xiàng)目將進(jìn)入快速發(fā)展階段。5G技術(shù)加速萬物互聯(lián)，由此產(chǎn)生的數(shù)據(jù)將呈現(xiàn)出指數(shù)級的增長。大趨勢下，企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲的需求大增，對儲存設(shè)備的性能要求也越來越高。
目前，鑒于工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的特殊需求，為實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)高性能存儲，在行業(yè)企業(yè)給出的解決方案中，最可行的三個選項(xiàng)是：一、采用NVMe協(xié)議的SSD；二、采用3D NAND立體存儲單元；三、升級DDR4-2666 MT/s內(nèi)存。作為行業(yè)領(lǐng)先者，佰維三管齊下，打造出了成熟的產(chǎn)品、技術(shù)并積累了豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)。
NVMe SSD：高速度、低延遲。
采用NVMe SSD是企業(yè)用戶普遍認(rèn)可的存儲升級方案。 NVMe是通過PCIe總線將存儲連接到服務(wù)器的接口規(guī)范。采用NVMe協(xié)議的PCIe SSD：一、能夠直接連接CPU，幾乎沒有延時(shí)；二、采用多隊(duì)列的方式傳輸數(shù)據(jù)，將IO訪問并行化。NVMe接口的這兩個特性能夠把SSD的潛力發(fā)揮到極致。
接口理論速度對比
與SATA/SAS SSD相比，NVMe SSD具有數(shù)倍以上的性能增長。以佰維產(chǎn)品為例，采用NVMe1.3接口的AIC PCIe SSD產(chǎn)品連續(xù)讀的最大速度為3064MB/s，連續(xù)寫的最大速度為1763MB/s；而采用SATA3接口的2.5 SATA SSD產(chǎn)品連續(xù)讀的最大速度為540MB/s，連續(xù)寫的最大速度為450MB/s；兩者的差距顯而易見。
3D NAND：容量、成本和性能三者兼顧 。
影響SSD數(shù)據(jù)存儲性能的不止是接口，還有NAND的形式。2D NAND雖然還在被廣泛使用，但是由于其自身技術(shù)發(fā)展遇到瓶頸，越來越無法滿足更高標(biāo)準(zhǔn)的需要，尤其是工業(yè)應(yīng)用的需要。2D NAND的制程工藝從早期的50nm發(fā)展到目前的15/16nm，提高了容量，降低了成本，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)镹AND的氧化層越薄，Cells之間的干擾越大，數(shù)據(jù)讀寫的速度也越慢。
佰維3D NAND產(chǎn)品
與2D NAND提高制程工藝的道路不同，3D NAND提高容量的方法是堆疊更多層數(shù)。Intel曾經(jīng)以蓋樓為例介紹了3D NAND，2D NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈。由于3D NAND獲得了更高的單位面積容量，因此對于特定容量的芯片，制造3D NAND的制程要比2D NAND低得多，比如可采用40nm制程。這就有效降低了Cells之間的干擾，同時(shí)提升了讀寫速度。佰維為大容量、高速度的高端工控SSD產(chǎn)品采用了3D NAND閃存，并設(shè)計(jì)了LDPC糾錯算法以加強(qiáng)產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
DDR4-2666MT/s：新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，還可通過升級內(nèi)存來優(yōu)化服務(wù)器存儲性能。DDR4-2666MT/s將數(shù)據(jù)頻率最大提高到2666MT/s，完美匹配CPU的最高內(nèi)存頻率設(shè)定，充分釋放服務(wù)器的運(yùn)算能力。佰維DDR4-2666MT/s系列產(chǎn)品容量從4GB到16GB，滿足所有工業(yè)應(yīng)用需求，包括強(qiáng)固耐用的服務(wù)器、自動化、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和監(jiān)控等。
DDR的發(fā)展
佰維自有封測工廠，可為工控客戶提提供不同形式的定制封裝。針對1U服務(wù)器，我們采用低高度DIMM模塊設(shè)計(jì)，改善微型空間空氣流散熱系統(tǒng)；針對溫差變化大的礦業(yè)化工等惡劣環(huán)境，我們采用-40℃~85℃的寬溫模塊設(shè)計(jì)；針對高可靠性及穩(wěn)定性系統(tǒng)級應(yīng)用，我們嚴(yán)格測試精選閃存顆粒，并配備熱傳感器，保證良好的數(shù)據(jù)完整性和高速傳輸性能。
NAND閃存從2D進(jìn)入3D時(shí)代之后，3D NAND堆棧層數(shù)從24/32層到64/72層，再到96層，甚至128層，在摩爾定律的支配下，數(shù)據(jù)存儲技術(shù)急速發(fā)展……佰維的優(yōu)勢之一就是能夠結(jié)合工控企業(yè)的實(shí)際需求與應(yīng)用環(huán)境，為客戶量身打造平衡性能與成本的最佳存儲解決方案，幫助企業(yè)客戶獲得實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)洞察，在競爭中先發(fā)制勝。
關(guān)于BIWIN佰維
佰維專注為客戶提供優(yōu)質(zhì)的存儲產(chǎn)品，致力于成為行業(yè)一流的存儲解決方案提供商。佰維堅(jiān)持以存儲技術(shù)為核心，具備存儲軟硬件和固件開發(fā)能力，積極響應(yīng)市場需求，為客戶提供更具競爭優(yōu)勢、高品質(zhì)的軟硬件存儲方案。佰維的產(chǎn)品和服務(wù)有：固態(tài)硬盤、嵌入式存儲芯片、存儲卡、內(nèi)存模組和客制化服務(wù)。
為確保產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性，佰維自建完整的封裝、測試、生產(chǎn)產(chǎn)線，確保產(chǎn)品具備絕佳和穩(wěn)定的性能，且符合各項(xiàng)國際認(rèn)證。佰維致力于為廣大整機(jī)廠商，品牌商，工控級和消費(fèi)級市場提供優(yōu)質(zhì)的存儲產(chǎn)品和服務(wù)，為客戶提供涵蓋游戲娛樂、軌道交通、網(wǎng)絡(luò)安全、工業(yè)自動化、手機(jī)平板、網(wǎng)通產(chǎn)品在內(nèi)的全系列存儲應(yīng)用解決方案
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